Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1020-Y(T6ND3,AF
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1020
2SA1020-Y(T6ND3,AF Hakkında
2SA1020-Y(T6ND3,AF, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörüdür. Maksimum 2A kollektör akımı ve 50V Vce dağılım gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 900mW maksimum güç tüketimi ve 100MHz geçiş frekansı ile ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. TO-92 through-hole paketi ile eski tasarımlar ve prototipler için uygun olup, şu anda Obsolete statüsündedir. DC akım kazancı (hFE) 500mA, 2V'de minimum 70 değerinde belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok