Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA1020-Y(T6CN,A,F

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SA1020

2SA1020-Y(T6CN,A,F Hakkında

2SA1020-Y(T6CN,A,F, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Maksimum 2A kollektör akımı ve 50V Vce(max) ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile şasi ve sinyal işleme devrelerinde yer alır. 100MHz transition frequency ile ses frekans bandında ve düşük frekans anahtarlama uygulamalarında çalışabilir. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 150°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığında kalite standardını korur. Minimum hFE değeri 70 (500mA, 2V koşullarında) ile güvenilir akım kazancı sağlar. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı kontrol uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 900 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok