Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1020-Y,HOF(M
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1020
2SA1020-Y,HOF(M Hakkında
2SA1020-Y,HOF(M, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92 long body) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2A kolektör akımı ve 50V çökmesiz gerilim değerleriyle düşük-orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 500mV doyum gerilimi ve minimum 70 DC akım kazancı özellikleriyle darbe devrelerinde, ses amplifikasyon katlarında ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 900mW güç tüketimi ve -150°C çalışma sıcaklığı sınırı endüstriyel ortamlarda kullanılabilirliğini sağlar. Komponent obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok