Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1020-Y,F(M
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1020
2SA1020-Y,F(M Hakkında
2SA1020-Y,F(M, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 long body paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kollektör akımı ve 50V Vce(br) breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW güç dağıtım kapasitesi ve 70 minimum DC akım kazancı (hFE) ile darbe devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 100MHz transition frekansı ile yüksek hızlı uygulamalara uygun olup, endüstriyel kontrol sistemleri, audio amplifikatörleri ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılmıştır. Cihazın çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar ulaşabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok