Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1020-Y(6MBH1,AF
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1020
2SA1020-Y(6MBH1,AF Hakkında
2SA1020-Y(6MBH1,AF, Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 (Long Body) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kollektör akımı ve 50V reverse bias breakdown voltajı ile çalışmaktadır. 900mW maksimum güç dissipasyonuna sahip olan bileşen, 100MHz transition frequency'sine ulaşabilir. DC akım kazancı (hFE) 500mA ve 2V şartlarında minimum 70 değerindedir. 150°C maksimum junction sıcaklığında kullanılabilen bu transistör, güç amplifikasyon uygulamaları, anahtarlama devreleri ve düşük-sinyal amplifikasyon işlemlerinde tercih edilir. Maksimum 1µA ICBO (kollektör cutoff akımı) ve 500mV doyum voltajı, düşük kaçak akım ve iyi on-off performansı sağlar. Not: Bu ürün kullanım dışı (Obsolete) olarak sınıflandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok