Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1020-O(F,M)
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1020
2SA1020-O(F,M) Hakkında
2SA1020-O(F,M), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92-3 long body paketinde sunulmaktadır. Maksimum 2A collector akımı ve 50V Vce breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 900mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, sürücü devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer almaktadır. 100MHz transition frequency ve 70 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile şerit bantlı frekans uygulamalarında performans sunmaktadır. 150°C maksimum junction sıcaklığı çalışma aralığı ile sınırlı ısıl ortamlarda kullanılabilir. Parça durumu obsolete olup, yeni tasarımlar için yerini alan modern alternatifler önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok