Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SA1020-O,F(J

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SA1020

2SA1020-O,F(J Hakkında

2SA1020-O,F(J), Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür. Maximum 2A kolektör akımı ve 50V Vce(br) breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 900mW güç dağıtma kapasitesine sahip bu bileşen, TO-92-3 long body paketi ile Through Hole montajı destekler. 100MHz transition frequency ve minimum 70 hFE (500mA, 2V'de) özellikleriyle düşük ve orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum işletme sıcaklığı 150°C'dir. Cihazın obsolete (üretimi durdurulmuş) durumda olması nedeniyle yeni tasarımlarda yerine geçecek modern alternatifler değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power - Max 900 mW
Supplier Device Package TO-92MOD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok