Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SA1013-O,T6MIBF(J
TRANS PNP 1A 160V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SA1013
2SA1013-O,T6MIBF(J Hakkında
2SA1013-O,T6MIBF(J), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92-3 Long Body) paketinde sunulan bu komponent, 1A kolektör akımı ve 160V breakdown voltajı ile küçük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 900mW maksimum güç dağılımı kapasitesi, 50MHz transition frekansı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile entegre devreler, ses amplifikatörleri, inverter devreler ve düşük frekanslı sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. DC current gain değeri 60 (@200mA, 5V) olup, 1.5V saturation voltajı ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Through-hole montaj tipi ile kurulu tabloları için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 200mA, 5V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92L |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok