Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2PD602AS,115
TRANS NPN 50V 500MA SMT3 MPAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2PD602AS
2PD602AS,115 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen 2PD602AS,115 bir NPN bipolar junction transistöre (BJT) dir. Surface mount (SMD) teknolojisinde üretilen bu transistör, TO-236-3 / SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maximum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 180MHz transition frequency ve 170 hFE (150mA, 10V'de) özellikleri ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde yer alabilir. 250mW maximum güç derecelendirilmesi ve 150°C operating temperature ile genel amaçlı amplifikasyon, small signal switching ve logic devrelerinde tercih edilir. Üretim durumu itibariyle yerini daha yeni bileşenlere bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 170 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok