Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2PD602ARL,215

TRANS NPN 50V 500MA TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2PD602

2PD602ARL,215 Hakkında

2PD602ARL,215, Nexperia tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketlemesinde sunulmaktadır. 50V maksimum Vce ve 500mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. DC akım kazancı (hFE) 150mA'de 10V Vce koşulunda minimum 120 değerine sahiptir. 160MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine elverişli yapıya sahiptir. 250mW maksimum güç disipasyonu ile sınırlı termal bütçeye sahip tasarımlarda tercih edilebilir. Genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 160MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok