Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2PD602AR,115
TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2PD602AR
2PD602AR,115 Hakkında
2PD602AR,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SC-59/SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal seviyesi uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama işlevleri için tasarlanmıştır. 50V collector-emitter aralığı voltajı, 500mA maksimum collector akımı ve 160MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama devrelerinde, ses frekansı amplifikatörlerinde ve lojik seviye dönüştürücü uygulamalarında kullanılabilir. 250mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 600mV maksimum saturasyon voltajı ile verimli çalışma sağlar. 120 minimum DC akım kazancı (hFE @ 150mA, 10V) sayesinde güvenilir amplifikasyon özellikleri sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 160MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok