Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2PB710AS,115
TRANS PNP 50V 0.5A SC59
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2PB710AS
2PB710AS,115 Hakkında
2PB710AS,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar transistördür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter geriliminde ve 500mA maksimum collector akımında çalışabilir. 140MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı 150mA, 10V koşullarında 170 değerine ulaşır. 250mW güç dağılımı kapasitesi ile düşük güç tüketimli devrelerde tercih edilir. İşaret işleme, ses amplifikasyon, anahtarlama ve düşük seviye sinyal uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu transistör, maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenli şekilde çalışır. Sıcak taraf hafif negatif ICBO (10nA) ve düşük Vce(sat) (600mV) değerleri ile verimli tasarımlara olanak sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 170 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok