Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2PB710AR,115

TRANS PNP 50V 0.5A SC59

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2PB710AR

2PB710AR,115 Hakkında

2PB710AR,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount TO-236-3 (SC-59/SOT-23-3) paketinde sunulmaktadır. Bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 120MHz transition frequency ve minimum 120 hFE DC gain ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 250mW maksimum güç dağıtımı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunar. Ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel sinyal amplifikasyonunda yaygın olarak kullanılır. Bileşen obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SMT3; MPAK
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok