Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2PB709ASW,115
NOW NEXPERIA 2PB709ASW - SMALL S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- 2PB709ASW
2PB709ASW,115 Hakkında
2PB709ASW, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistördür (BJT). SC-70 (SOT-323) surface mount paketinde sunulan bu komponent, 80 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 45 V kollektör-emitter gerilimi ile düşük güçlü sinyal işleme, RF uygulamaları, amplifikasyon ve switch devrelerinde yer alır. 290 (minimum) DC akım kazancı (hFE) ile uygun amplifikasyon özellikleri sağlar. 200 mW maksimum güç dağılımı kapasitesiyle kompakt tasarımlarda tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 290 @ 2mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok