Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2PB709AS,115
TRANS PNP 45V 0.1A SC59
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2PB709
2PB709AS,115 Hakkında
2PB709AS, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 45V maksimum Vce(bo) ile çalışan bu transistör, 100mA maksimum kolektör akımını desteklemekte ve 290'ın üzerinde DC akım kazancı (hFE) sağlamaktadır. 80MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 250mW maksimum güç tüketimine sahip olan bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilmektedir. Küçük sinyal amplifikasyon, anahtarlama devreler, ses ve RF uygulamalarında tercih edilir. Düşük saçılım ve kompakt boyutu sayesinde taşınabilir cihazlar ve tüketici elektroniklerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 290 @ 2mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok