Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N718A
NPN TRANSISTOR
2N718A Hakkında
2N718A, WEC tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup Through Hole montaj tipi ile sağlanır. TO-18 metal can paketinde bulunan bu transistör, maksimum 500mA collector akımı ve 30V collector-emitter breakdown voltage değerleri ile şekillendirilmiştir. 500mW güç tüketim kapasitesi ve -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde çeşitli ortamlarında kullanım imkanı sunmaktadır. DC akım kazancı (hFE) 150mA collector akımında ve 10V Vce değerinde minimum 40 değerine sahiptir. Switching devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilen bu bileşen, 1.5V saturation voltajı ile düşük güç kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok