Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
2N7002KDW_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
2N7002KDW_R1_00001 Hakkında
2N7002KDW_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim (Vdss) aralığında çalışan ve 115mA sürekli drain akımına sahip bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, lojik seviyeleri sürücüleme ve düşük güç sinyal işleme devreleri için tasarlanmıştır. 3Ω on-resistance (10V, 500mA koşullarında) ve 0.8nC gate charge ile hızlı anahtarlamaya imkan tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 200mW maksimum güç dağılımına sahiptir. SOT-363 (6-TSSOP, SC-88) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, kompakt tasarımlar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 35pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok