Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002
2N7002DWH6327XTSA1 Hakkında
2N7002DWH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörleridir. 60V Vdss ve 300mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir ve 3Ω Rds(on) direnci (10V, 500mA koşullarında) ile düşük kaçak akımı sağlar. Çok düşük gate charge (0.6nC) ve input capacitance (20pF) değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Surface mount SOT-363 paketinde sunulan bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, voltaj regülatörleri, logic level sinyal anahtarlaması ve taşınabilir cihazlardaki uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 500mW maksimum güç dağılımı ile kompakt tasarımlarda kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok