Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N6773

NPN POWER TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
2N6773

2N6773 Hakkında

2N6773, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar power transistor'ıdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1A collector akımı ve 650V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 40W güç kapasitesine sahip olan transistör, 50MHz transition frequency özelliğinde ve -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. DC current gain (hFE) değeri 300mA akımda, 3V Vce'de minimum 20'dir. Vce saturation voltajı 1V'tur. Through hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenir. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri ve orta güç seviyesi power stage tasarımlarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 300mA, 3V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 40 W
Supplier Device Package TO-220
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok