Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N6730
TRANS PNP 100V 2A TO237
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-237AA
- Seri / Aile Numarası
- 2N6730
2N6730 Hakkında
2N6730, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-237AA paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kollektör akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1W maksimum güç derecelendirmesi ve 500MHz transition frekansı ile, sesli frekans ve anahtarlama devrelerinde yer alabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 80 değerine sahip olup, -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Saturasyon voltajı 500mV maksimum seviyesinde tutulmuş, böylece anahtarlama uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 50mA, 1V |
| Frequency - Transition | 500MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-237AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-237 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 250mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok