Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N6715-18 TIN/LEAD

TRANSISTOR-BIPOLAR POWER

Paket/Kılıf
TO-237AA
Seri / Aile Numarası
2N6715

2N6715-18 TIN/LEAD Hakkında

2N6715-18, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar güç transistörüdür. TO-237AA paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2A kollektör akımı ve 40V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 500MHz transition frequency ile hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygundur. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, LED sürücüleri, ses amplifikatörleri ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. DC current gain (hFE) minimum 60 değeriyle orta güçlü amplifikasyon uygulamalarına imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 500MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-237AA
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-237
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok