Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N6667
T-PNP SI-GEN PUR AMP
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N6667
2N6667 Hakkında
2N6667, NTE Electronics tarafından üretilen PNP Darlington transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek akım kazancı (minimum 1000 @ 5A, 3V) ve 10A'e kadar kolektör akımı sağlar. 60V VCEO diyelectric dayanımı ile orta ve yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç yayımı kapasitesi ile amplifikasyon, anahtarlama ve darlington çiftlerinin oluşturulması gibi endüstriyel ve consumer elektronik devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -65°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok