Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N6517RLRA

TRANS NPN 350V 0.5A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N6517

2N6517RLRA Hakkında

2N6517RLRA, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu komponentin maksimum collector-emitter gerilimi 350V olup, maksimum collector akımı 500mA'dir. 625mW güç kapasitesi ile orta güçlü uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 200MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 50mA ve 10V koşullarında minimum 20'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu transistör, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve amplifikatör uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Through-hole montaj özelliği klasik PCB tasarımlarına uyum sağlar. Parça şu anda obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok