Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N6517G
TRANS NPN 350V 0.5A TO92
2N6517G Hakkında
2N6517G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 paket tipinde sunulmaktadır. 350V maksimum Vce(BR)CEO (collector-emitter breakdown voltage) ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 625mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 200MHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda da çalışabilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Through hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir. Elektrik tesisatı, enerji yönetimi ve indüktif yük kontrolü gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. Part status obsolete olmasına rağmen, benzer özelliklerdeki modern alternatifler mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok