Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N6301E3
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRA
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-213AA
- Seri / Aile Numarası
- 2N6301
2N6301E3 Hakkında
2N6301E3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN Darlington power transistördür. TO-66 paketinde sunulan bu komponent, yüksek akım ve güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500mA maksimum collector akımı, 75W maksimum güç ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 750 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 4A collector akımında 3V vce'de çalışır. Saturation voltajı 80mA base akımında 8A collector akımında 3V'tur. -55°C ile 200°C arasında çalışan bu transistör, motor kontrol devreleri, güç amplifikatörleri, anahtar uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj türüyle PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-213AA, TO-66-2 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Supplier Device Package | TO-66 (TO-213AA) |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok