Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N6233

TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-213AA
Seri / Aile Numarası
2N6233

2N6233 Hakkında

2N6233, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup Through Hole montajı için TO-66 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 5A kollektor akımı, 225V VCEO kırılma gerilimi ve 50W güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kuvvetlendiricileri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. 1mA maksimum cutoff akımı ile düşük sızıntı özellikleri bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-213AA, TO-66-2
Part Status Active
Power - Max 50 W
Supplier Device Package TO-66
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 225 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok