Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N6109
T-PNP SI-GEN PUR AMP SW
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N6109
2N6109 Hakkında
2N6109, NTE Electronics tarafından üretilen silikon PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 pakette sunulan bu transistör, maksimum 7A collector akımı ve 40W güç dissipation kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 50V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 10MHz transition frequency ile ses frekansı ve düşük frekansı uygulamalarda çalışabilir. -65°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Özellikle güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama kaynakları ve lineer amplifikasyon devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 2.5A, 4V |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 40 W |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 3A, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok