Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N6032
HIGH POWER NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-204AE
- Seri / Aile Numarası
- 2N6032
2N6032 Hakkında
2N6032, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek güçlü NPN bipolar transistördür. TO-204AE paketinde sunulan bu bileşen, 50 A'e kadar kolektör akımını ve 140 W güç dissipasyonunu destekler. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 90 V maksimum Vce (kolektör-emiter gerilimi) ile yüksek gerilim uygulamalarında çalışmaya uygundur. 1.3 V'luk doyma gerilimi ve 10 @ 50A, 2.6V koşulunda ölçülen hFE değeri ile güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. Through Hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan monte edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 50A, 2.6V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AE |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 140 W |
| Supplier Device Package | TO-204AE |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 5A, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 90 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok