Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5830
TRANS NPN 100V 0.2A TO-92
2N5830 Hakkında
2N5830, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-92 paketinde sunulan bu komponent, 100V kolektör-emitter gerilimi ve 200mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 625mW güç dağıtım kapasitesine sahip olan transistör, -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında stabil performans gösterir. DC akım kazancı (hFE) 10mA kolektör akımında 5V Vce'de minimum 80 değerine ulaşır. Diyot mantığı devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük seviye sinyal amplifikasyonu gibi genel amaçlı transistor uygulamalarında kullanılır. 50nA ICBO (kolektör cutoff akımı) ile kapalı durumdaki sızıntı akımı oldukça düşüktür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok