Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5830_D26Z
TRANS NPN 100V 0.2A TO-92
2N5830_D26Z Hakkında
2N5830_D26Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100V collector-emitter gerilimi ve 200mA collector akımı ile çalışabilmektedir. 625mW güç sınırlaması ve 80 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle sahiptir. Vce doyum gerilimi maksimum 250mV olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Eski ürün statüsünde olmasına rağmen, düşük sinyalli anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve küçük güç seviyesi kontrol devrelerinde kullanılabilir. Through hole montaj tipi ile PCB'ye entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok