Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5830
TRANS NPN 100V 200MA TO92-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5830
2N5830 Hakkında
2N5830, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, 100V maksimum Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 200mA maksimum kollektör akımı ile çalışabilir. 625mW güç dağıtım kapasitesi ile orta-küçük sinyal uygulamalarında kullanılır. Minimum 80 hFE DC akım kazancı, 250mV saturasyon gerilimi ve 50nA ICBO cutoff akımı özellikleri vardır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılan transistördür. Через-delik (through-hole) montaj türü ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok