Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5771 TRE
TRANSISTOR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5771
2N5771 TRE Hakkında
2N5771, Central Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistörtür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 50mA maksimum kolektör akımı ve 15V maksimum kollektör-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 850MHz transition frequency'si ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -65°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 625mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC current gain değeri 10mA, 300mV koşullarında minimum 50'dir. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve düşük sinyal kontrolü gerektiren sistemlerde tercih edilebilir. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 300mV |
| Frequency - Transition | 850MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok