Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5771
T-PNP SI- RF/IF AMP
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5771
2N5771 Hakkında
2N5771, NTE Electronics tarafından üretilen silikon PNP bipolar junction transistördür. RF ve IF amplifikatör uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, 200 mA maksimum collector akımı, 350 mW güç tüketimi ve 10nA collector cutoff akımı ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 600mV maksimum saturasyon voltajı ve 15V collector-emitter breakdown voltajı ile radyo frekans ve orta frekans devrelerinde sinyal amplifikasyonu sağlar. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimlenir ve küçük RF cihazlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 300mV |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok