Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

2N5770_D26Z

RF TRANS NPN 15V TO92-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5770

2N5770_D26Z Hakkında

2N5770_D26Z, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar RF transistörüdür. TO-92-3 (TO-226AA) paketinde sunulan bu bileşen, 15V collector-emitter breakdown voltajı ile RF uygulamalarında kullanılır. Maksimum 50mA collector akımı ve 350mW güç dissipasyonuna sahiptir. 60MHz'de 6dB noise figure özelliğiyle düşük gürültülü RF kademelerinde tercih edilir. 50 @ 8mA, 10V DC current gain ve 15dB kazanç değerleri ile, söndürme ve orta frekanslı RF devrelerinde, özellikle ameliyathane ve sinyal işleme uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Bileşen obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 8mA, 10V
Gain 15dB
Mounting Type Through Hole
Noise Figure (dB Typ @ f) 6dB @ 60MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 350mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok