Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5680
BI-POLAR SILICON TRANSISTOR PN
- Üretici
- Solid State Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5680
2N5680 Hakkında
2N5680, Solid State Inc. tarafından üretilen silisyum tabanlı PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, 1 A'ye kadar kolektör akımı, 120 V kolektör-emitör arası kırılma gerilimi ve 1 W maksimum güç yayılımı özelliklerine sahiptir. -65°C ile 200°C arasında çalışabilen ve hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, düşük sinyalli amplifikasyon, anahtarlama ve kontrol devreleri gibi geleneksel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through Hole montajı ile PCB'lere kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 250mA, 2V |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Transistor Type | PNP |
| Power - Max | 1 W |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok