Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5671
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-204AA
- Seri / Aile Numarası
- 2N5671
2N5671 Hakkında
2N5671, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. Maximum 30A collector akımı, 140W güç dağıtma kapasitesi ve -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanıma uygundur. TO-3 through-hole paketinde sunulan bu transistör, 90V collector-emitter breakdown voltajı ve 20 minimum DC current gain (hFE) karakteristiği ile güç amplifikasyon, anahtarlama ve sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Vce saturation voltajı 750mV olup, yüksek akım anahtarlama işlemlerinde düşük enerji kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20A, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 140 W |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 1.2A, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 90 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok