Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5666U3
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-276AA
- Seri / Aile Numarası
- 2N5666
2N5666U3 Hakkında
2N5666U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-276AA DIP paketinde sunulan bu bileşen, 200V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.2W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile orta düzey güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 40 minimum DC akım kazancı (hFE) @ 1A/5V koşullarında ve 1V satürasyon voltajı @ 1A/5A ile kontrollü anahtarlama sağlar. -65°C ile +200°C (junction) arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç yönetim devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Through-hole montaj tipi, geleneksel PCB tasarımlarında kolay entegrasyon imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-276AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.2 W |
| Supplier Device Package | U-3 (TO-276AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok