Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5666S

NPN POWER SILICON SWITCHING TRAN

Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
2N5666

2N5666S Hakkında

2N5666S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi güç silisyum anahtarlama transistörüdür. TO-39 metal kasa paketi içinde sunulan bu bileşen, 200V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1.2W maksimum güç dağılımı ile çalışır. 40 minimum DC akım kazancına (hFE) sahip olan transistör, 1A collector akımında 5V Vce koşullarında karakterize edilmiştir. -65°C ile +200°C sıcaklık aralığında çalışabilen 2N5666S, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, röle sürücüleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılır. Through Hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan lehimlenmesi mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 nA
Current - Collector Cutoff (Max) 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 1A, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 1.2 W
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok