Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5657G
TRANS NPN 350V 500MA TO225AA
2N5657G Hakkında
2N5657G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 350V breakdown voltajı ile güç elektronikleri, anahtarlama devreleri ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. 500mA maksimum kolektör akımı ve 20W güç sınırlandırması ile orta düzey güç gereksinimleri karşılayan devrelerde tercih edilir. TO-225AA paketinde gelen bu transistör through-hole montajı destekler ve -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. Hobi projeleri, endüstriyel kontrol sistemleri ve eski cihaz tasarımlarında kullanım görmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 100mA, 10V |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 20 W |
| Supplier Device Package | TO-126 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 10V @ 100mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok