Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5655G
TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-225AA
- Seri / Aile Numarası
- 2N5655
2N5655G Hakkında
2N5655G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörüdür. TO-225AA (TO-126) paketinde sunulan bu komponent, 250V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 20W maksimum güç dağıtımı kapasitesi, 30 minimum DC akım kazancı ve 10MHz transition frekansı ile gerilim kontrol devreleri, anahtar uygulamaları ve sinyal amplifikasyonunda yer bulur. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve ticari uygulamaları destekler. Bileşen artık üretilmemekte olup, elektronik geri dönüşüm ve onarım projeleri için arşiv referansı olarak değerlendirilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 100mA, 10mV |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 20 W |
| Supplier Device Package | TO-126 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 10V @ 100mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok