Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5581
TRANS NPN 50V 0.8A TO46
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-206AB
- Seri / Aile Numarası
- 2N5581
2N5581 Hakkında
2N5581, Microchip Technology tarafından üretilen silisyum NPN Bipolar Junction Transistör (BJT) olup, TO-46 metal kutu paketinde sunulmaktadır. Maksimum 50V kollektör-emiter gerilimi ve 800mA kollektör akımı ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. 500mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) tipik olarak 150mA, 10V'de 40 değerindedir. -55°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bu transistör, amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Düşük kolektör-emiter doyum gerilimi (tipik 1V) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Endüstriyel kontrol, ses amplifikasyon ve radyo frekans devrelerinde tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-46 (TO-206AB) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok