Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5551ZL1G

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5551

2N5551ZL1G Hakkında

2N5551ZL1G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar bağlaç transistörüdür. TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 160V maksimum Vce dönüş gerilimi ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 625mW güç yayılımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve darbe amplifikasyonu devreleri için uygundur. 300MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenli çalışır. Ses amplifikatörleri, lojik arayüzleri, küçük motor kontrolü ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok