Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551ZL1
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5551
2N5551ZL1 Hakkında
2N5551ZL1, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN Bipolar Junction Transistör (BJT) olup Through Hole montajı için TO-92 paketinde sunulmaktadır. 160V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 300MHz geçiş frekansı, 625mW güç dağıtımı kapasitesi ve 80 minimum DC akım kazancı ile gerilim amplifikasyon devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve ses frekansı sinyal işlemesinde kullanılabilir. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş sıcaklık koşullarına uygun olup, geleneksel transistör tabanlı elektronik tasarımlarında yer alabilir. Bileşen Obsolete (üretim dışı) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok