Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551YTA
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
2N5551YTA Hakkında
2N5551YTA, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 625mW güç tüketim kapasitesine sahip olan bileşen, 100MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygundur. DC akım kazancı (hFE) 180 minimum değerindedir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen 2N5551YTA, dar ve orta seviye güç uygulamalarında, sinyal amplifikasyonunda, switching devrelerinde ve genel amaçlı analog tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenmesi mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok