Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5551YBU

TRANS NPN 160V 600MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5551

2N5551YBU Hakkında

2N5551YBU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, 160V maksimum Vce breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 180 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 100MHz transition frequency'si sayesinde, düşük frekans sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve kontrol devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır, maksimum 625mW güç tüketebilir. Through-hole montajı nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında kullanıma uygundur. Ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer alır. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok