Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551TF
2N5551 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N5551
2N5551TF Hakkında
2N5551TF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi small signal bipolar transistördür (BJT). TO-92-3 DIP paketinde sunulan bu transistör, düşük seviyeli sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 600 mA kollektör akımı, 160V kırılma gerilimi ve 100 MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir operasyon sağlar. Audio amplifikatörler, sinyal ön işleme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı elektronik devreler tasarımında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok