Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5551TF

TRANS NPN 160V 600MA TO92-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5551

2N5551TF Hakkında

2N5551TF, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, 160V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta seviye güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 625mW maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle, ses amplifikatörleri, sinyal anahtarlaması, düşük frekanslı RF uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok