Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551TAR
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
2N5551TAR Hakkında
2N5551TAR, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 160V kolektör-emiter gerilimi ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 625mW güç dağıtım kapasitesi ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ile kontrollü amplifikasyon sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil çalışma gösterir. Eski model olmasına rağmen, hobist projelerinde ve ürün restorasyon çalışmalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok