Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N5551RLRP

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N5551

2N5551RLRP Hakkında

2N5551RLRP, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörlü (BJT) tekil komponenttir. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 160V kollektör-emitter bozulma gerilimi ve maksimum 600mA kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ve 80 minimum DC current gain özellikleriyle, anahtarlama devrelerinde, küçük sinyal amplifikasyonunda ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 625mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç tasarımlarına uygundur. Onsemi'nin legacy ürün portföyünde yer alsa da, benzer karakteristiğe sahip modern alternatiflerle değiştirilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok