Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N5551RLRMG
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
2N5551RLRMG Hakkında
2N5551RLRMG, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörüdür. TO-92 paketinde sunulan bu komponent, 160V Vce breakdown voltajı ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 300MHz transition frequency ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devreleri için uygundur. DC akım kazancı (hFE) 10mA ve 5V işletme koşullarında minimum 80 değerine sahiptir. 625mW maksimum güç tüketimi ile audio frekans amplifikatörleri, genel amaçlı anahtarlama ve kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük kolektör cutoff akımı (50nA) ve 200mV Vce(sat) değerleri sayesinde etkin anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok